令和2年度 問24

薄膜形成技術の1つのCVD（ChemicalVaporDeposition）法に関する次のA～Eの記述のうち、不適切なものの組合せはどれか。

1. CVD法とは、気相にある原料から、化学反応を伴って、分子、原子、イオン、ラジカルなどの化学種を基板に堆積させる成膜法の総称である。
2. CVD法は、化学反応を励起するためのエネルギー源によって、熱CVD、プラズマCVD、エピタキシャルCVD等と呼ばれる。
3. 薄膜成長の際に基板付近だけを加熱する方式のCVDはホットウォールCVDと呼ばれる。
4. CVD法では、ガス原料を用いることから、高純度な成膜が可能である。
5. CVD法では、マスフローコントローラを用いることで組成制御性がよい成膜が可能である。

選択肢

1. A、B
2. A、E
3. B、C
4. C、D
5. D、E

解答解説

正答は5番です。